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(1999-01-27)

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PN结正向电压温度特性实验，有什么原理？ - 知乎
基于PN结的正向电压温度特性，我们可以设计实验来测量PN结的正向压降随温度的变化曲线，并由此确定PN结的灵敏度和材料的禁带宽度。实验步骤大致如下： 1 准备实验仪器和样品，包括PN结样品、加热测温装置、示波器或电压表以及恒流源等。 2
在半导体工程中，什么是 PN 节？ - 知乎
PN结的特性包括：单向导电性：当PN结上施加正向电压（即P端接电源正极，N端接电源负极），内建电场被削弱，外部电场促使多数载流子（N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴）更容易越过结区，形成较大的正向电流。
管材上标注的 DN，De，Φ，PN，SDR 有什么区别？ - 知乎
PN：是指公称压力，用在管道及管道配件、阀门等壳体设备的压力表示上。字母PN后跟的数字不代表测量值，如PN1 0Mpa的PE给水管，1 0代表承压压力等级，公称压力是指管材在二级温度（ 20℃）时输水的工作压力，即正常工作状态下作用在管道内壁的最大持续
PN结中漂移远动和扩散远动什么意思？ - 知乎
PN结：P型掺杂区和N型掺杂区接触形成，两者之间存在一个动态平衡。 P区：多子为空穴，少子为自由电子。 N区：多子为自由电子，少子为空穴。由于存在浓度梯度，多子会向少子方向扩散，即P区的空穴向N区扩散，留下带负电的掺杂粒子；N区的自由电子向P区扩散，留下带正电的掺杂粒子。这种
为什么二极管大多数pn结都是P重掺杂而不是N重掺杂？ - 知乎
设计高反向耐压PN结二极管的一个重要问题是，掺杂水平在1019cm-3以下的N型区将与金属产生很大的接触电阻，这对于工作在大电流密度下的功率半导体器件来说是不能被接受的。因此，N型区为低掺杂的二极管在高电压的应用场合是不可行的。
一个关于pn结的扩散电流与漂移电流的问题？ - 知乎
一个关于pn结的扩散电流与漂移电流的问题？老师是这么讲的：加正向电压的时候，由于正向电压抑制了内建电场，因此强化了扩散电流，抑制了漂移电流，而扩散运动主要是多子运动，因此电流相对更大；与之相反… 显示全部关注者 8
PN结的P区和N区到底是电中性还是呈现正负电性？ - 知乎
而空间电荷区内会形成一个内建电场，其方向是由N区（带正电）指向P区（带负电）。我们可以看到由于P区和N区之间“自由电子”和“空穴”的相互扩散，导致在空间电荷区（PN结）上是有电场的（内建电场，假设为0 7V）。那么PN结对外呈现电性么？
温度变化对本征半导体、P型杂质半导体、N型杂质半导体以及PN结分别有什么影响？ - 知乎
④常见应用：二极管：二级管是只允许电流沿一个方向流动的器件，通过 PN 结（P型半导体连接到N型半导体）起作用。 PN结之间具有耗竭层，阻碍PN结之间的电子交换，需要施加正向偏压克服。
关于半导体制冷，PN结有什么意义？ - 知乎
PN结在半导体制冷技术中具有核心意义，主要体现在以下几个方面： 1 实现热电效应的物理基础 PN结是半导体制冷片的基本结构单元，由P型和N型半导体交替排列组成。当直流电通过时，电子在两种材料的接触点发生能级跃迁：从低能级（P型价带）向高能级（N型导带）跃迁时吸热（冷端），反之则
为什么向pn半导体加反方向电压会导致耗尽层变宽？ - 知乎
为什么向pn半导体加反方向电压会导致耗尽层变宽？反向电压用导线内的电子和空穴中和了半导体内的电子和空穴，结果不应该是降低了半导体内的浓度梯度，使得PN结的扩散电流减小，耗尽层变窄么？显示全部关注者 16 被浏览

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